RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
AMD R748G2606U2S 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
61
Autour de 57% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
61
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
2028
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451B6AFR8A
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link