RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
14
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
3204
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link