RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de 33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
39
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
1768
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link