RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
81
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
81
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
1651
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link