RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
81
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
81
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
1651
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link