RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
43
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2330
2058
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaison des RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link