RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparez
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Note globale
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
10
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
49
Autour de -40% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,343.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
35
Vitesse de lecture, GB/s
5,135.8
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,343.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
843
2068
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB Comparaison des RAM
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link