RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
40
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2097
3379
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link