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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
64
Autour de 36% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
64
Vitesse de lecture, GB/s
14.0
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
2052
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB Comparaison des RAM
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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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