RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
30
Autour de 30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2771
3372
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link