RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
22
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
22
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.0
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2771
3929
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 994052 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link