RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
56
Autour de -81% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
3809
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72C4PG0NK-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link