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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
56
Autour de -75% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
3659
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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