RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
56
Autour de -17% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
48
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
12.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
3061
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link