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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
56
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
43
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
2615
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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