RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
56
Autour de -70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
33
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
3341
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link