RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
56
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
1989
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link