RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
71
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
71
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
1863
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link