RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Comparez
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Note globale
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Note globale
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
73
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,925.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
73
Vitesse de lecture, GB/s
4,315.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,925.7
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
658
1822
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaison des RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link