RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2808
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link