RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3601
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link