RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
52
Autour de -73% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3386
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link