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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3420
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
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Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
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