RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
52
Autour de -63% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2999
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link