RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
52
Autour de -160% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
20
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3632
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link