RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
52
Autour de -53% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3697
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link