RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.4
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
17.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3845
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link