RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
52
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.8
2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.1
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
41
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
7.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
1512
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link