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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
52
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
4200
Autour de 6.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
51
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
25600
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2687
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
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Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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