RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
52
Autour de -148% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.6
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
21
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2337
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link