RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
71
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
71
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
1902
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link