RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de -126% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2548
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link