RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
52
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
4200
Autour de 6.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
46
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
25600
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3045
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link