RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3495
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link