RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
66
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2806
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link