RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
66
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3579
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link