RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
66
Autour de -83% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
36
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2653
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link