RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
66
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2780
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link