RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
66
Autour de -128% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
29
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3563
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link