RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3837
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link