RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
66
Autour de -154% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2728
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link