RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
66
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2307
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link