RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
66
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
33
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3341
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link