RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
66
Autour de -78% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2191
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link