RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
66
Autour de -78% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
37
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2230
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-17000C11-8GBZLD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link