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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
66
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3247
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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