RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
66
Autour de -106% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
32
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
2641
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link