RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,285.0
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
68
Autour de -94% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,165.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,285.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3150
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
UMAX Technology 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link