RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,285.0
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
68
Autour de -300% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
17
Vitesse de lecture, GB/s
4,165.3
21.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,285.0
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
784
3702
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link