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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
46
Autour de -109% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
22
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3082
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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