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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
46
Autour de -59% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3273
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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